MBN750H65E2 | HITACHI
- Adriana Nunes
- 20 de mar. de 2024
- 1 min de leitura
Atualizado: 21 de mar. de 2024
Módulo IGBT
Características:
Comportamento de comutação suave e baixa perda de condução: IGBT de alta condutividade com baixa injeção e suave.
Baixa potência de condução devido à porta MOS de baixa capacitância de entrada.
Recuperação com baixo ruído: Diodo de recuperação rápida ultra suave.
Alta durabilidade por fadiga térmica
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