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MBN750H65E2 | HITACHI

Módulo IGBT



Características:


  • Comportamento de comutação suave e baixa perda de condução: IGBT de alta condutividade com baixa injeção e suave.

  • Baixa potência de condução devido à porta MOS de baixa capacitância de entrada.

  • Recuperação com baixo ruído: Diodo de recuperação rápida ultra suave.

  • Alta durabilidade por fadiga térmica

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